第三代半导体

1）第三代半导体很新，但不是革命性的创新，是对现有产品的补充而非替代。王炸材料还是属于硅；
2）技术有挑战，市场以6寸为主，能做8寸的就算先进；不像硅材料，8寸比比皆是，12寸遍地开花。
3）材料特性：高频、宽禁带，适合新能源汽车以及射频，是市场的宠儿。
4）行业资本投入规模小，龙头以IDM为主；
5）产业价值划分，得基板者得天下。
从半导体材料进化看第三代半导体，属于补充而非革命性创新
你们知道么，世界上第一只晶体管是由锗生产出来的。锗，最外层电子能级较高，导电性能好，不过，会产生不必要的热。而后发现了硅，两者合并组成第一代半导体。
值得说的是，硅具有价格低、储能多的优点，最终硅取代了锗，成为主流半导体材料，如CPU、GPU、内存、手机的 SoC 等器件都用的它。
目前，95%以上的半导体器件和 99%以上的集成电路都是由 Si 材料制作。
第一代半导体光学性能差，于是伴随4G到来，感光性能好的第二代半导体就产生了，因为磷化铟有毒、价高，砷化镓则成了主流。广泛应用在通信设备，如毫米波器件、发光器件、卫星通讯、移动通讯、光通讯、GPS 导航等。
用比较实在的例子就是苹果手机的面部解锁、屏下指纹识别都需要用到感光性能。
随着5G发展以及新能源汽车的出现，一些禁带宽度大的材料就需要。
所谓的禁带宽度反映了价电子被束缚强弱程度，直接决定着器件的耐压和最高工作温度，你想新能源汽车的快充、光伏面板都需要它——第三代半导体，其特性为宽禁带，是1、2代材料的3倍，耐高压能力就抢；能量密度高；使用寿命更长。