第三代半导体成为兵家必争之地

除了IGBT这样的硅基功率半导体，再一个更火热的领域是第三代功率半导体。第三代半导体具有高效率、低能耗、散热快等特性，是5G、低轨卫星、高速运算、电动车等当红应用必备的零组件。据TrendForce指出，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）在电动汽车（EV）和快充电池市场具有相当大的发展潜力。预计第三代功率半导体的产值，将从 2021 年的 9.8 亿美元、增长到 2025 年的 47.1亿美元年复合增长率（CAGR）为48% 。

因此，第三代半导体的优势对诸多供应链的厂商有极大的吸引力，不仅吸引了包括台积电、联电、世界先进、东部高科在内的各大代工厂的加入，硅晶圆全球第三的环球晶也开始生产少量的SiC晶片。代工厂大多是布局在GaN领域，主要因GaN技术跟代工厂的设备相容度达9成以上，且GaN有机会转到8英寸厂投片。

除此之外，芯片设计厂商也在开始加入。本月23日，全球电源芯片龙头台达电宣布，斥资3.2亿元成立碇基半导体筹备处，发力第三代半导体，据了解，碇基半导体初期锁定600V电源供应器等产品。台达电表示，将先成立碇基半导体，进入先端电源技术与第三代半导体的研究开发与相关产品生产与销售，台达电内部已有团队研究第三代半导体多年，也有很多相关产品。未来希望藉由掌握上游端设计，提供关键半导体零组件，掌握第三代半导体应用趋势，未来不排除引进半导体相关策略合作伙伴加入。

国内大陆方面，三代半导体的投融资仍旧比较热闹。5月20日，华润微电子收购第三代半导体厂商大连芯冠科技有限公司34.5625%股份，同时后者更名为润新微电子（大连）有限公司，据介绍，该公司已建成首条6英寸硅基GaN外延及功率器件晶圆生产线，华润微也因此入局GaN领域。

6月8日，功率半导体器件代工厂商宽能半导体完成超2亿元天使轮融资，其首条产线落地南京，目前正在建设中，建成后将是国内最大的碳化硅半导体晶圆厂。6月18日左右，晶越半导体完成新一轮融资，主要产品为六英寸导电型碳化硅衬底晶片。6月20日，杭州谱析光晶获数千万元preA轮融资，生产碳化硅驱动系统及模组，应用在电动汽车电控模组等超高可靠性要求领域。

整车厂也在积极发力第三代功率半导体，近日，理想汽车的功率半导体项目生产基地已落户苏州，由理想汽车与三安光电共同出资组建苏州斯科半导体公司，主要专注于第三代半导体碳化硅车规芯片模组的研发及生产。将于2022年6月中旬启动厂房建设，预计2023年5月启动样品试制，2024年正式投产后，将逐步形成年产240万只半桥生产能力。